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专利名称: 一种具有二维片层结构的碳化物晶体材料及其制备方法;  一种具有二维片层结构的碳化物晶体材料及其制备方法
发明人: 黄庆;  陈科;  陈苒;  周小兵;  叶群;  于海澄
授权日期: 2015-7-8
摘要: 本发明提供了一种具有二维片层结构的碳化物材料,由过渡金属元素与碳元素组成,并且其中过渡金属元素与碳元素的原子比小于或等于1。本发明选用三元或三元以上的Zr-Hf-Y-Al-Si-Ge-C层状陶瓷材料作为前驱体,通过选择性腐蚀,将其中价键较弱的Al-C片层进行腐蚀剥离,从而制得二维片层结构的过渡金属碳化物。该方法简单易行,具有二维片层结构碳化物材料的组成元素、元素计量比、形貌及结构均可设计和调控的优点。该二维片层结构碳化物材料在电化学储能用电极材料、功能高分子导电填料、传感器、催化剂、透明导体等领域有较好的应用。
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黄庆,陈科,陈苒,等.一种具有二维片层结构的碳化物晶体材料及其制备方法.Cn104762660a.2015.
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