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专利名称: 一种空心碗状纳米二氧化硅二维阵列结构及其制备和应用;  一种空心碗状纳米二氧化硅二维阵列结构及其制备和应用
发明人: 陈玲玲;  王彪;  孙爱华;  许高杰
授权日期: 2017-9-15
摘要: 本发明涉及一种空心碗状纳米二氧化硅二维阵列结构及其制备和应用。具体地,本发明公开了一种所述阵列结构的制备方法以及采用所述方法制得的阵列结构。所述方法具有工艺简便、成本低廉、实验条件温和等特点,所述阵列机构具有结构排布致密、碗状开口方向整齐一致、膜厚可控等特点。
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陈玲玲,王彪,孙爱华,等.一种空心碗状纳米二氧化硅二维阵列结构及其制备和应用.Cn107163268a.2017.
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