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专利名称: 一种提高银纳米线透明导电膜导电性和透过率的方法;  一种提高银纳米线透明导电膜导电性和透过率的方法
发明人: 宋伟杰;  徐峰;  许炜;  沈文锋
授权日期: 2017-3-29
摘要: 本发明公开了一种提高银纳米线透明导电膜导电性和透过率的方法,通过在室温和常压下,使用特定浓度的季铵盐表面活性剂溶液浸泡银纳米线透明导电膜,去除银纳米线表面包覆的聚乙烯吡咯烷酮PVP,PVP去除后,由于银纳米线的高表面能,银纳米线之间的结点将会接触、自动融合焊接,使银纳米线之间的结电阻得到显著降低,从而在提高银纳米线透明导电膜导电性的同时,提高了其透过率,避免了传统高温高压焊接对银纳米线导电网络和基底的破坏。本发明方法操作简便、成本低廉,适合于大规模工业生产。
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宋伟杰,徐峰,许炜,等.一种提高银纳米线透明导电膜导电性和透过率的方法.Cn106548828a.2017.
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