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专利名称: 一种基于梯度叠层缓冲层薄膜的外延生长Al<sub>m<-sub>Ga<sub>1<-sub>‑<sub>m<-sub>N的方法;  一种基于梯度叠层缓冲层薄膜的外延生长Al<sub>m<-sub>Ga<sub>1<-sub>‑<sub>m<-sub>N的方法
发明人: 郭炜;  叶继春;  黄峰;  李俊梅;  孟凡平;  高平奇;  韩灿
授权日期: 2017-7-4
摘要: 本发明涉及一种基于梯度叠层缓冲层薄膜的外延生长Alm<-sub>Ga1‑m<-sub>N的方法。具体地,本发明公开了一种复合材料以及所述复合材料的制备方法和应用。所述复合材料所包含的外延薄膜的位错密度、薄膜裂纹密度和薄膜表面粗糙度得到综合改善,因此可获得晶体质量、薄膜完整性和表面形貌平衡提升的复合材料,同时,基于这种复合材料可以大大缩短外延芯片的生长时间,全面提升包含所述复合材料的光电器件或功率器件的性能和产率。所述方法具有工艺简单、成本低、产品良率高等特点。
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郭炜,叶继春,黄峰,等.一种基于梯度叠层缓冲层薄膜的外延生长alm<-sub>ga1<-sub>‑m<-sub>n的方法.Cn106920739a.2017.
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