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专利名称: 一种掺杂类金刚石薄膜及其制备方法;  一种掺杂类金刚石薄膜及其制备方法
发明人: 孙丽丽;  汪爱英;  李晓伟;  徐胜;  王骏;  郭鹏
授权日期: 2015-9-30
摘要: 本发明提供一种掺杂类金刚石薄膜的制备方法,其包括如下步骤:a根据第一性原理计算模拟金属原子与碳原子的成键特征,筛选出与碳原子具有反键特征的掺杂金属元素;b通过离子束法形成类金刚石薄膜,并在类金刚石薄膜的成膜过程中通过磁控溅射法向所述类金刚石薄膜掺杂至少一种该掺杂金属元素,得到掺杂类金刚石薄膜,其中该掺杂金属元素的原子百分含量为0.13%~40%。本发明还提供一种掺杂类金刚石薄膜。
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孙丽丽,汪爱英,李晓伟,等.一种掺杂类金刚石薄膜及其制备方法.Cn104947037a.2015.
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