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专利名称: 一种氮掺杂多孔碳薄膜的制备方法及其产品;  一种氮掺杂多孔碳薄膜的制备方法及其产品
发明人: 诸葛飞;  曹鸿涛;  陈浩
授权日期: 2015-4-15
摘要: 本发明公开了一种氮掺杂多孔碳薄膜的制备方法,采用磁控溅射的方法,以富碳材料作为溅射靶材,以氮气或者氮气与氩气的混合气体作为溅射气氛,以金属、无机半导体材料或无机绝缘材料作为衬底制备氮掺杂碳膜,所述衬底温度为20~500℃;在真空、氮气气氛或惰性气氛中,在300~1000℃下,氮掺杂碳膜经热处理10秒~20小时后,得到所述的氮掺杂多孔碳薄膜材料。本方法无需模板,不消耗有机溶剂,简单易行;本方法制备的氮掺杂多孔碳薄膜材料具有N含量、孔尺寸可调的特点,N含量最高可达30%;本方法制备的N掺杂多孔碳薄膜的膜厚最小仅为数纳米,且可以实现大面积制备。
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诸葛飞,曹鸿涛,陈浩.一种氮掺杂多孔碳薄膜的制备方法及其产品.Cn104513955a.2015.
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