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专利名称: 一种在低功耗低气压条件制备疏水性碳膜的方法;  一种在低功耗低气压条件制备疏水性碳膜的方法
发明人: 汪爱英;  焦圆;  张栋;  柯培玲;  孙丽丽;  陈仁德
授权日期: 2015-4-8
摘要: 本发明提供了一种低功耗低气压条件制备疏水性碳膜的方法。该方法将清洗烘干后的基体放入PECVD设备腔体,腔体抽真空后通入碳源气体,向基体施加射频负偏压,采用PECVD技术在基体表面沉积碳膜,控制该射频电源功率为20W~70W,腔体沉积压强为1mTorr~30mTorr,能够使沉积的碳膜具有疏松多孔的表面微结构,从而具备疏水性能,即在低功耗、低气压条件下制得疏水性碳膜,是一种低成本,简单易行的制备方法,具有良好的应用前景。
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汪爱英,焦圆,张栋,等.一种在低功耗低气压条件制备疏水性碳膜的方法.Cn104498907a.2015.
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