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专利名称: 交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法;  交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法
发明人: 詹清峰;  荣欣;  李润伟;  刘宜伟;  张晓山
授权日期: 2015-9-9
摘要: 本发明提供了一种交换偏置场可调控的结构单元。该结构单元包括衬底、金属缓冲层、铁磁层、反铁磁层与保护层,其中衬底采用具有各向异性热膨胀系数与压电效应的柔性衬底,铁磁层具有磁致伸缩效应,从而对应力敏感。当温度、电场导致应力变化时,该结构单元的交换偏置场发生变化,因此能够通过温度、电场调控其交换偏置场。与现有技术相比,该结构单元具有柔韧性,其交换偏置场的调控手段灵活,调控方便易行,在传感、信息、医疗、军事等领域具有良好的应用前景。
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詹清峰,荣欣,李润伟,等.交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法.Cn104900799a.2015.
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