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交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法; 交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法; 交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法; 交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法
詹清峰; 荣欣; 李润伟; 刘宜伟; 张晓山
2015-09-09
专利权人中国科学院宁波材料技术与工程研究所
公开日期2015-09-09
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明提供了一种交换偏置场可调控的结构单元。该结构单元包括衬底、金属缓冲层、铁磁层、反铁磁层与保护层,其中衬底采用具有各向异性热膨胀系数与压电效应的柔性衬底,铁磁层具有磁致伸缩效应,从而对应力敏感。当温度、电场导致应力变化时,该结构单元的交换偏置场发生变化,因此能够通过温度、电场调控其交换偏置场。与现有技术相比,该结构单元具有柔韧性,其交换偏置场的调控手段灵活,调控方便易行,在传感、信息、医疗、军事等领域具有良好的应用前景。
申请日期2014-03-04
交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法; 交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法; 交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法; 交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法
专利号CN104900799A
专利状态公开
申请号CN201410077376.2
PCT属性
专利代理人单英
文献类型专利
条目标识符http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/16061
专题专利成果
推荐引用方式
GB/T 7714
詹清峰,荣欣,李润伟,等. 交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法, 交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法, 交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法, 交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法. CN104900799A[P]. 2015-09-09.
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