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专利名称: 硫、磷杂原子取代二苯并G;P稠二萘型衍生物、其制备方法与应用;  硫、磷杂原子取代二苯并G;P稠二萘型衍生物、其制备方法与应用
发明人: 欧阳新华;  米东伯;  葛子义
授权日期: 2017-7-28
摘要: 本发明提供了一种硫、磷杂原子取代二苯并[G,P]稠二萘型衍生物。将氧、磷、硫、氮杂原子引入到具有稠环结构的二苯并[G,P]稠二奈型结构中,一方面增加了材料的载流子传输性和稳定性;另一方面实现了三线态能级的可控调节;同时,通过引入大原子半径的磷氮键或硫氮键实现扭曲结构,降低分子间严重的π-π堆积对其薄膜态下的发光的影响。因此,该衍生物可作为荧光材料而应用于OLED中。
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欧阳新华,米东伯,葛子义.硫、磷杂原子取代二苯并g;p稠二萘型衍生物、其制备方法与应用.Cn106986894a.2017.
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