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专利名称: 一种硅-碳氧化硅-碳负极材料及其制备方法和应用;  一种硅-碳氧化硅-碳负极材料及其制备方法和应用
发明人: 程亚军;  张毅;  王梅梅;  朱锦
授权日期: 2016-5-4
摘要: 本发明公开一种硅-碳氧化硅-碳负极材料及其制备方法和应用。在硅-碳氧化硅-碳负极材料中,超小硅氧碳纳米粒子均匀分散在碳基质中作为缓冲基质,而硅纳米粒子则被均匀镶嵌在碳-硅氧碳缓冲基质中。该方法是采用热固性树脂单体作为溶剂体系取代传统溶剂,将硅纳米粉体在该溶剂中分散均匀,通过固化乙烯基树脂和含有双键的硅烷偶联剂,得到硅-聚硅氧烷-碳前驱体复合材料的块状固体,粉碎后高温煅烧,球磨后得到。该方法不使用传统有机溶剂,避免了溶剂后处理,硅烷偶联剂直接和树脂聚合,通过煅烧聚合物裂解原位成碳、硅氧碳。采用陶瓷(硅氧碳)和碳作为缓冲基质,吸收硅体积膨胀带来的应力,消除、减小硅体积膨胀带来的不良后果。
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程亚军,张毅,王梅梅,等.一种硅-碳氧化硅-碳负极材料及其制备方法和应用.Cn105552323a.2016.
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