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Indium-Zinc-Oxide Electric-Double-Layer Thin-Film Transistors for Artificial Synapse Applications
Zhu, Li Qiang; Zhu, LQ
2014
会议名称2014 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC)
会议日期JUN 18-20, 2014
出版地Chengdu, PEOPLES R CHINA
出版者2014 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC)
部门归属中国科学院宁波材料所
关键词Laterally Coupling Electric-double-layer Synaptic Transistor
收录类别SCI
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/16349
专题2015专题
通讯作者Zhu, LQ
推荐引用方式
GB/T 7714
Zhu, Li Qiang,Zhu, LQ. Indium-Zinc-Oxide Electric-Double-Layer Thin-Film Transistors for Artificial Synapse Applications[C]. Chengdu, PEOPLES R CHINA:2014 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC),2014.
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